一种通孔刻蚀方法专利登记公告

专利名称：一种通孔刻蚀方法

摘要：本发明提出一种通孔刻蚀方法，该方法通过两次刻蚀形成通孔，首先由第一刻蚀在有源区的源极和漏极上方制作第一通孔，接着在第一通孔露出的源极和漏极表面沉积金属硅化物；然后由第二刻蚀在金属栅极上方制作第二通孔，从而避免金属栅极表面沉积金属硅化物，形成难以去除的合金，以及湿法刻蚀金属硅化物造成的金属栅极表面损伤。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010601640.X

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：林益世;吕伟;黄晓辉;郝静安

主权项：一种通孔刻蚀方法，提供具有硅衬底的晶片，所述硅衬底表面具有金属层栅极，所述金属栅极两侧的硅衬底中具有源极和漏极，在所述晶片的器件面沉积层间介质层后，其特征在于，该方法还包括：在所述层间介质层上涂覆第一光刻胶，第一光刻后在源极和漏极上方形成定义第一通孔的第一光刻图案；以所述第一光刻图案为掩膜，第一刻蚀所述层间介质层，露出所述源极和所述漏极，形成第一通孔；在所述露出的源极和漏极表面沉积金属硅化物；用底部抗反射涂层或者光刻胶填充所述第一通孔后，所述晶片器件面涂覆第二光刻胶，第二光刻后在金属栅上方形成定义第二通孔

专利地区：上海