相变存储器的制作方法专利登记公告

专利名称：相变存储器的制作方法

摘要：本发明提供了一种相变存储器的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有互连结构和底部电极，所述互连结构与所述层间介质层齐平，所述底部电极上方覆盖有部分所述层间介质层；在所述层间介质层上方形成保护层；在所述保护层和层间介质层内形成露出所述底部电极的开口；利用等离子体刻蚀工艺，对所述开口的侧壁和底部进行清洁步骤；在开口内形成相变层；去除所述层间介质层表面的保护层。本发明提高了相变存储器的良率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010601802.X

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：任万春;宋志棠

主权项：一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有互连结构和底部电极，所述互连结构与所述层间介质层齐平，所述底部电极上方覆盖有部分所述层间介质层；在所述层间介质层上方形成保护层；在所述保护层和层间介质层内形成露出所述底部电极的开口；利用等离子体刻蚀工艺，对所述开口的侧壁和底部进行清洁步骤；在开口内形成相变层；去除所述层间介质层表面的保护层。

专利地区：上海