高温超导体及其制备方法专利登记公告

专利名称：高温超导体及其制备方法

摘要：本发明涉及一种高温超导体，所述高温超导体是一金属间化合物，所述金属间化合物的通式为R1-x′E(1-x″)x′Ax″x′[(Dm(1-x′″)Gmx′″)1-yMy]1+z，其中，m＝2或5，0≤x′≤1，0.01≤x″≤0.9，0≤x′″≤1，0≤y≤0.02，0≤z≤0.01；组成物D或组成物G的3d层电子、3s层电子、3p层电子、4s层电子或4p层电子的通道为开通状态。通过所述金属间化合物的三层六边形晶体结构和组成物D、G的电子的通道开通状态，所述金属间化合物为具有临界温度Tc＞300K和有较高的临

专利类型：发明专利

专利号：CN201010602798.9

专利申请（专利权）人：吴仕驹

专利发明（设计）人：吴仕驹

主权项：一种高温超导体，其特征在于，所述高温超导体是一金属间化合物，所述金属间化合物的通式为R1?x′E(1?x″)x′Ax″x′[(Dm(1?x′″)Gmx′″)1?yMy]1+z，其中，组成物R是Y、稀土元素或稀土元素的混合物，组成物E和组成物A是碱土元素或碱土元素的混合物；组成物D是Ga、Al、Si、Ge、Cu、Ni、Co或Zn；组成物G是Ga、Si、Ge、Cu、Ni、Co或Zn；组成物M是Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的其中一种元素或一

专利地区：香港