半导体器件的失效分析方法专利登记公告

专利名称：半导体器件的失效分析方法

摘要：本发明关于一种半导体器件的失效分析方法，其包括步骤：去除半导体器件背面的铜层；对半导体器件背面的硅层进行减薄；及使用微光显微镜(Emission?Microscope，EMMI)和/或镭射光束诱发阻抗值变化测试(OBIRCH)电性定位设备定位半导体器件背面的失效点。本发明半导体器件的失效分析方法通过通过对半导体器件的背面进行除铜、硅层减薄及失效点定位，节约了时间，提高了效率及成功率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010605339.6

专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司

专利发明（设计）人：韦俊;董红

主权项：一种半导体器件的失效分析方法，其特征在于：其包括步骤：S101：去除半导体器件背面的铜层；S103：对半导体器件背面的硅层进行减薄；及S105：使用微光显微镜(Emission?Microscope，EMMI)和/或镭射光束诱发阻抗值变化测试(OBIRCH)电性定位设备定位半导体器件背面的失效点。

专利地区：江苏