高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法专利登记公告

专利名称：高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法

摘要：本发明公开了一种高击穿氮化镓基场效应晶体管器件及其制作方法，首先在衬底上生长成核层；在成核层上生长低铝组分的铝镓氮高阻缓冲层；在铝镓氮高阻缓冲层上生长高迁移率氮化镓沟道层；在氮化镓沟道层上生长薄层的氮化铝隔离层；在氮化铝隔离层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长薄层的氮化物帽层；以及在所述氮化物帽层上形成源电极、漏电极以及栅电极。本发明降低了工艺的复杂性，并有效提高了氮化镓基场效应晶体管器件的击穿电压，同时提升了沟道中电子的迁移率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010606241.2

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：彭铭曾;罗卫军;郑英奎;陈晓娟;刘新宇

主权项：一种高击穿氮化镓基场效应晶体管器件的制作方法，所述方法包括以下步骤：a)提供一个衬底；b)在所述衬底上生长成核层；c)在所述成核层上生长低铝组分的铝镓氮高阻缓冲层；d)在所述铝镓氮高阻缓冲层上生长高迁移率氮化镓沟道层；e)在所述氮化镓沟道层上生长薄层的氮化铝隔离层；f)在所述氮化铝隔离层上生长铝镓氮势垒层；g)在所述铝镓氮势垒层上生长薄层的氮化物帽层；以及h)在所述氮化物帽层上形成源电极、漏电极以及栅电极。

专利地区：北京