光谱仪检测高硅铝合金含量的试样制备方法专利登记公告

专利名称：光谱仪检测高硅铝合金含量的试样制备方法

摘要：本发明所述的光谱仪测量高硅铝合金含量的试样制备方法是利用碱溶方法，(1)取0.1克Si含量≥8％的高硅铝合金试样于烧杯中，加入10ml含有20％的NaOH溶液，加热至不再有小气泡产生为止；(2)向烧杯中加入3ml含有30％的NaOH溶液继续反应，10分钟后又补加3ml含有50％的NaO溶液继续加热至溶液呈粘糊状；(3)再向烧杯中倒入45ml(1+1)的HNO3进行酸化，加热溶解2～3分钟，冷至室温后定容250ml待用。本发明采用分步增加NaOH溶液量，对试样进行溶解，同时加大HNO3的酸化用量，使试样得到

专利类型：发明专利

专利号：CN201010608988.1

专利申请（专利权）人：中国航空工业标准件制造有限责任公司

专利发明（设计）人：许裕

主权项：光谱仪测量高硅铝合金含量的试样制备方法，利用碱溶方法，采用分步增加NaOH溶液量，对试样进行溶解，其特征在于：制备步骤为(1)取0.1克Si含量≥8％的高硅铝合金试样于烧杯中，加入10ml含有20％的NaOH溶液，加热至不再有小气泡产生为止；(2)向烧杯中加入3ml含有30％的NaOH溶液继续反应，10分钟后又补加3ml含有50％的NaO溶液继续加热至溶液呈粘糊状；(3)再向烧杯中倒入45ml(1+1)的HNO3进行酸化，加热溶解2～3分钟，冷至室温后定容250ml。

专利地区：贵州