超过800万条软件/作品著作权公告信息!

提供基于中国版权保护中心以及各省市版权局著作权登记公告信息查询

低成本带电平补偿的多路电压信号自动选高电路专利登记公告


专利名称:低成本带电平补偿的多路电压信号自动选高电路

摘要:本发明公开了低成本带电平补偿的多路电压信号自动选高电路,包含:至少第一、第二两个输入管接成一源极跟随器,若干个输入信号分别与所述第一、第二输入管的栅极相连,其源极连接到同一个输出端节点;一电平移位单元包括一个栅极和漏极相连的第五NMOS晶体管,其源极接到所述输出端节点,其栅极和漏极接到输出;一偏置电路包括一电流源、第六、第七NMOS晶体管,第一、第二、第三、第四PMOS晶体管,其中,所述第四NMOS晶体管的漏极连接所述输出端节点,所述第四NMOS晶体管的源极和衬底都接地,其栅极接一节点,第六、第七NMOS

专利类型:发明专利

专利号:CN201010612903.7

专利申请(专利权)人:华润矽威科技(上海)有限公司

专利发明(设计)人:王立龙;黄从朝

主权项:低成本带电平补偿的多路电压信号自动选高电路,其特征在于,包含:至少第一、第二两个输入管,所述第一、第二输入管接成一源极跟随器,若干个输入信号分别与所述第一、第二输入管的栅极相连,所述第一、第二输入管的源极连接到同一个输出端节点;一电平移位单元,包括一个栅极和漏极相连的第五NMOS晶体管,其源极接到所述输出端节点,其栅极和漏极接到输出;一偏置电路,包括一电流源、第六、第七NMOS晶体管,第一、第二、第三、第四PMOS晶体管,其中,所述第四NMOS晶体管的漏极连接所述输出端节点,所述第四NMOS晶体管的源极和

专利地区:上海