太阳能电池及其制作方法专利登记公告

专利名称：太阳能电池及其制作方法

摘要：本发明公开了一种太阳能电池的制作方法包括以下步骤：步骤S1、在P型晶片表面形成N+型掺杂层，该N+型掺杂层中具有N++型重掺杂区域；步骤S2、在P型晶片背面形成P型掺杂层；步骤S3、在P型晶片表面和背面形成涂层，该涂层为钝化层和增透膜；步骤S4、在P型晶片表面形成表面电极，该表面电极位于与该N++型重掺杂区域相对应的位置；步骤S5、在P型晶片背面形成背面电极；步骤S6、将P型晶片在700--1100℃烧结，使金属电极元素和晶片共晶复合，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明还公开了一种太

专利类型：发明专利

专利号：CN201010619183.7

专利申请（专利权）人：上海凯世通半导体有限公司

专利发明（设计）人：陈炯;钱锋

主权项：一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S1、在P型晶片表面中形成N+型掺杂层，该N+型掺杂层中具有N++型重掺杂区域；步骤S2、在P型晶片背面中形成P型掺杂层；步骤S3、在P型晶片表面和背面形成涂层，该涂层为钝化层和增透膜；步骤S4、在P型晶片表面形成表面电极，该表面电极位于与该N++型重掺杂区域相对应的位置；步骤S5、在P型晶片背面形成背面电极；步骤S6、将P型晶片在700??1100℃烧结，使金属电极元素和晶片共晶复合，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。

专利地区：上海