一种单晶硅棒外圆切割加工方法和装置专利登记公告

专利名称：一种单晶硅棒外圆切割加工方法和装置

摘要：一种单晶硅棒外圆切割加工方法及装置，属于非接触式电火花加工范畴。切割加工的方法是：以钼丝或钼合金金属细丝作为工作电极，使走丝速度在1-30m/s之间，在切割加工过程中，脉冲发生器的电压脉冲宽度在1-100μs之间且可调；电压在0-200伏特之间，加工工作液的电导率为0.5-50ms/cm。针对重掺杂单晶(电阻率在0.0001-0.10Ω.cm范围)单晶硅棒(锭)，锭长100-400cm。采用较高电导率(0.5-50ms/cm)工作液，基于无切削力的电火花放电原理，实现单晶硅棒(锭)外圆切割加工一次成型且晶

专利类型：发明专利

专利号：CN201010620832.5

专利申请（专利权）人：有研半导体材料股份有限公司;国泰半导体材料有限公司

专利发明（设计）人：方峰;赵阳;郑沉;孔祥玉;高朝阳;侯艳柱;叶松芳;刘红艳

主权项：一种单晶硅棒外圆切割加工方法，其特征是：它包括以下步骤：以钼丝或钼合金金属细丝作为工作电极，使走丝速度在1?30m/s之间，在切割加工过程中，脉冲发生器的电压脉冲宽度在1?100μs之间且可调；电压在0?200伏特之间，加工工作液的电导率为0.5?50ms/cm。

专利地区：北京