一种高密度的氧化铈掺杂钪稳定氮化硅的生产工艺专利登记公告

专利名称：一种高密度的氧化铈掺杂钪稳定氮化硅的生产工艺

摘要：本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氧化铈氧化钪作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其组分及质量百分比含量为：氧化铈3％～7％，氧化钪5％～8％，氮化硅85％～92％。目的在于克服现有技术的不足，提供一种氧化铈氧化钪作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法，可广泛用于化工、机械、冶金、航空航天等领域的零部件制备。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010620859.4

专利申请（专利权）人：苏州中锆新材料科技有限公司

专利发明（设计）人：陈海*

主权项：一种高密度的氧化铈掺杂钪稳定氮化硅的生产工艺所涉及的氧化铈氧化钪作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷，组分及质量百分比含量为：氧化铈3％～7％，氧化钪5％～8％，氮化硅85％～92％。所述的氧化铈粒度3～6微米，氧化钪粒度5～7微米，氮化硅粒度0.4～0.7微米。

专利地区：江苏