纳米氧化钬掺杂氧化铥稳定氮化硅的制备方法专利登记公告

专利名称：纳米氧化钬掺杂氧化铥稳定氮化硅的制备方法

摘要：本发明涉及一种陶瓷材料技术领域，具体是一种氧化钬氧化铥作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其组分及质量百分比含量为：氧化钬3％～7％，氧化铥5％～8％，氮化硅85％～92％。目的在于克服现有技术的不足，提供一种氧化钬氧化铥作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法，可广泛用于化工、机械、冶金、航空航天等领域的零部件制备。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010620901.2

专利申请（专利权）人：苏州中锆新材料科技有限公司

专利发明（设计）人：陈海*

主权项：纳米氧化钬掺杂氧化铥稳定氮化硅的制备方法所涉及的氧化钬氧化铥作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷，组分及质量百分比含量为：氧化钬3％～7％，氧化铥5％～8％，氮化硅85％～92％。所述的氧化钬粒度3～6微米，氧化铥粒度5～7微米，氮化硅粒度0.4～0.7微米。

专利地区：江苏