改进的同轴线结构专利登记公告

专利名称：改进的同轴线结构

摘要：本发明提供一种改进的同轴线结构，其包含中心导体；包覆在中心导体外缘的绝缘层；包覆在绝缘层外缘的隔离层，其至少由第一导电材及第二导电材混合押出成型；以及包覆在隔离层外缘的外被。因此，本发明改进的同轴线结构，可利用包覆于绝缘层外缘的隔离层，取代现有技术中同轴线的编织层，而达到提升制作效率、减少材料用量以及遮蔽效果较佳的功能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010621580.8

专利申请（专利权）人：擎曜科技股份有限公司

专利发明（设计）人：邱庆阳

主权项：一种改进的同轴线结构，其特征在于，包含：中心导体；绝缘层，包覆于中心导体的外缘；隔离层，包覆于绝缘层的外缘，其至少由第一导电材及第二导电材混合押出成型；以及外被，包覆于隔离层的外缘。

专利地区：台湾