MOS器件寿命预计方法及系统专利登记公告

专利名称：MOS器件寿命预计方法及系统

摘要：本发明公开了一种MOS器件寿命预计方法，包括步骤：分析器件的物理失效机理与器件宏观参数退化的相关性，构建基于所述物理失效机理的器件宏观参数退化模型；对器件进行可靠性模拟仿真，分析器件宏观参数退化对物理失效机理的敏感性；选择应力施加方式，对器件进行基于参数退化寿命试验并获取可靠性试验数据；分析上述可靠性试验数据，建立基于参数退化的寿命预计计算模型；根据上述寿命预计计算模型获取器件的寿命预计结果。利用该方法解决新技术条件下传统器件寿命预测方法准确性和可操作性的问题，减少试验样品数量，降低试验费用，提高预计试验

专利类型：发明专利

专利号：CN201010621794.5

专利申请（专利权）人：北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司

专利发明（设计）人：王群勇;阳辉;钟征宇;陈冬梅;白桦;刘燕芳;吴文章;陈宇

主权项：一种MOS器件寿命预计方法，其特征在于，所述寿命预计方法包括：S1，分析器件的物理失效机理与器件宏观参数退化的相关性，构建基于所述物理失效机理的器件宏观参数退化模型；S2，对器件进行可靠性模拟仿真，分析器件宏观参数退化对物理失效机理的敏感性；S3，选择应力施加方式，对器件进行基于参数退化寿命试验并获取可靠性试验数据；S4，分析上述可靠性试验数据，建立基于参数退化的寿命预计计算模型；S5，根据上述寿命预计计算模型获取器件的寿命预计结果。

专利地区：北京