一种制作独立发光二极管的方法专利登记公告

专利名称：一种制作独立发光二极管的方法

摘要：一种制作独立发光二极管的方法，涉及光电技术领域。本发明的方法步骤为：①在蓝宝石衬底上形成外延层；②在外延层上表面形成掩蔽层；③深刻蚀露出蓝宝石衬底的上表面；④在器件表面生长一层SiO2膜；⑤露出蓝宝石衬底上的切割面；⑥在切割面上划片；⑦用磷酸与硫酸混合液体腐蚀掉熔渣碎屑；⑧腐蚀掉SiO2膜；⑨在每块外延层上进行台面刻蚀、电极和钝化层的制作，再从蓝宝石衬底底面进行研磨、裂片，形成多个独立发光二极管。本发明结合切割道深刻蚀与侧壁腐蚀技术，避免了划片过程中激光直接作用于GaN外延层，减少了激光对外延层的影响，保

专利类型：发明专利

专利号：CN201010622206.X

专利申请（专利权）人：同方光电科技有限公司

专利发明（设计）人：王立彬

主权项：一种制作独立发光二极管的方法，其步骤为：①在蓝宝石衬底(1)上采用外延的方法形成外延层(2)，外延层(2)包含N?GaN层、有源层和P?GaN层；②在外延层(2)上表面涂光刻胶、曝光并显影形成掩蔽层(3)；③用ICP设备进行深刻蚀，露出蓝宝石衬底(1)的上表面(10)，去除光刻胶并清洗；④在器件表面生长一层SiO2膜(8)；⑤在每两块外延层(2)之间的区域涂胶、曝光、显影，并用BOE进行湿法腐蚀，露出蓝宝石衬底(1)上的切割面(4)，然后去除光刻胶；⑥用激光划片机在切割面(4)上划片，产生熔渣碎屑(9)；

专利地区：北京