无盲区、无光电串扰的硅象限光电探测器制作方法专利登记公告

专利名称：无盲区、无光电串扰的硅象限光电探测器制作方法

摘要：本发明公开了一种无盲区、无光电串扰的硅象限光电探测器制作方法。其特点在于：在硅象限光电探测器各象限光敏元之间制作一个环极。该环极用与象限光电探测器衬底同型杂质，跟背面电极同时扩散构成n+n或p+p层高低结，其形状依象限光电探测器各象限光敏元数量和形状而定。环极通过金属引线与象限光电探测器公共电极直接连接。在象限光电探测器反偏置下，各象限光敏元pn结纵向耗尽层与横向侧壁耗尽层连成一体，形成“侧壁耗尽层势垒”，使每个象限的光敏元因光照而产生的光生载流子，在该偏置电场作用下，不能跨入其它光敏元的耗尽区。因环极高

专利类型：发明专利

专利号：CN201010622540.5

专利申请（专利权）人：重庆鹰谷光电有限公司

专利发明（设计）人：朱华海

主权项：本发明涉及一种无盲区、无光电串扰的硅象限光电探测器的制作方法，其在硅象限光电探测器各象限光敏元之间的衬底表面上设置一环极，通过电场作用，在各光敏元周边构成侧壁“耗尽层底部势垒”，其特征在于：在硅象限光电探测器象限光敏元之间，用芯片衬底同型杂质，与衬底背面电极，同时扩散形成高低结(n+n或p+p高低结)；该环极是通过金属引线与衬底背面的各光敏面公共下电极直接相连，其形状是依据各象限探测器各象限光敏元的数量与形状而定；应用中，在象限光电探测器反偏置电压下，各象限光敏元的背面耗尽层与侧壁耗尽层连成一体，各象限光

专利地区：重庆