辐射探测器及其成像装置和电极结构专利登记公告

专利名称：辐射探测器及其成像装置和电极结构

摘要：本申请公开了一种辐射探测器及其成像装置和电极结构。该辐射探测器包括辐射敏感薄膜、位于辐射敏感薄膜上的顶部电极、以及与辐射敏感薄膜电耦合的像素单元的阵列，其中每一个像素单元包括；像素电极，用于收集辐射敏感薄膜的一个像素区域中的电荷信号；储存电容，用于储存像素电极所收集的电荷信号；复位晶体管，用于清空储存电容中的电荷；缓冲晶体管，用于将像素电极上的电荷信号转换成电压信号并传送到信号线上；列选通晶体管以及行选通晶体管，其中，列选通晶体管和行选通晶体管串联连接在缓冲晶体管和信号线之间，并响应列选通信号和行选通信号传送相应的像素单元的电压信号。该辐射探测器可用于例如X射线数字成像。

专利类型：实用新型专利

专利号：CN201020536985.7

专利申请（专利权）人：同方威视技术股份有限公司

专利发明（设计）人：张岚;陈志强;赵自然;吴万龙;李元景;邓智;郑晓翠

主权项：一种辐射探测器，其特征是：所述辐射探测器包括辐射敏感薄膜、位于辐射敏感薄膜上的顶部电极、以及与辐射敏感薄膜电耦合的像素单元的阵列，其中每一个像素单元包括；像素电极，用于收集辐射敏感薄膜的一个像素区域中的电荷信号；储存电容，与像素电极连接，用于储存像素电极所收集的电荷信号；复位晶体管，与像素电极连接，用于清空储存电容中的电荷；缓冲晶体管，与像素电极连接，用于将像素电极上的电荷信号转换成电压信号并传送到信号线上；列选通晶体管，用于选择预定列的像素电极；以及行选通晶体管，用于选择预定行的像素电极，其中，列选通晶

专利地区：北京