一种氮氧化物传感器芯片专利登记公告

专利名称：一种氮氧化物传感器芯片

摘要：本实用新型公开了一种氮氧化物传感器芯片，由六层基片第一层至第六层基片叠压而成，六层基片的材质均为氧化锆，第二层基片上包括四个空腔，第一空腔、第二空腔、第三空腔、第四空腔，四个空腔之间依次分别设置有三列扩散障碍层，第三空腔内设置有第一电极，第四空腔内设置有第二电极和第三电极，第三层基片上设有与大气相连的参比气体通道，第三层基片与第四层基片之间设置有参比电极，参比电极上覆盖有多孔氧化铝层，参比气体通道通过小孔与多孔氧化铝层连通，第四层基片与与第五层基片之间设置有加热电极，加热电极的上下各有一层绝缘层，第一层基片上设置有第四电极，第四电极上覆盖有有保护层。结构上可以避免烧结时非活化电极中金的挥发对活化电极的污染，且无需分步烧结，只需将六层基片叠合后一次烧结成型即可。??

专利类型：实用新型专利

专利号：CN201020584510.5

专利申请（专利权）人：无锡隆盛科技有限公司

专利发明（设计）人：谢光远;黄海琴;尹亮亮;王哲;倪铭

主权项：一种氮氧化物传感器芯片，由六层基片第一层至第六层基片(1??6)叠压而成，其特征在于：六层基片的材质均为氧化锆，第二层基片(2)上包括四个空腔，第一空腔(7)、第二空腔(9)、第三空腔(13)、第四空腔(16)，四个空腔之间依次分别设置有三列扩散障碍层(8、10、14)，第三空腔(13)内设置有第一电极(12)，第四空腔(16)内设置有第二电极(15)和第三电极(18)，第三层基片(3)上设有与大气相连的参比气体通道(22)，第三层基片(3)与第四层基片(4)之间设置有参比电极(19)，参比电极(19)上

专利地区：江苏