具有非欧姆选择层的非易失性存储单元专利登记公告
专利名称：具有非欧姆选择层的非易失性存储单元
摘要：披露一种包含非欧姆选择层的非易失性存储单元和关联的方法。根据一些实施例，非易失性存储单元由耦合于非欧姆选择层的阻性感测元件(RSE)构成。选择层被配置成响应大于或等于预定阈值的电流从第一阻态转变至第二阻态。
专利类型：发明专利
专利号：CN201080032406.8
专利申请（专利权）人：希捷科技有限公司
专利发明（设计）人：T·伟;J·印斯克;V·文努戈帕兰;X·海文;T·麦克尔;L·布莱恩
主权项：一种包含耦合于非欧姆选择层的阻性感测元件(RSE)的存储单元，其特征在于，所述选择层被配置成响应于大于或等于预定阈值的电流从第一阻态转变为第二阻态。
专利地区：美国
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