电泵浦的光电半导体芯片专利登记公告

专利名称：电泵浦的光电半导体芯片

摘要：在电泵浦的光电半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，所述电泵浦的光电半导体芯片具有至少两个能产生辐射的量子阱(2)，其中，能产生辐射的量子阱(2)包括InGaN或者由其组成。此外，光电半导体芯片(1)包括至少两个覆层(4)，所述覆层包括AlGaN或者由其组成。所述覆层(4)中的每个与能产生辐射的量子阱(2)中的正好一个相关联。所述覆层(4)各位于相关联的能产生辐射的量子阱(2)的p侧上。在能产生辐射的量子阱(2)与相关联的覆层(4)之间的距离为最高1.5nm。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080035921.1

专利申请（专利权）人：欧司朗光电半导体有限公司

专利发明（设计）人：马蒂亚斯·彼得;托比亚斯·迈耶;于尔根·奥弗;泷哲也;约阿希姆·赫特功;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;安斯加尔·劳布施;安德烈亚斯·比贝尔斯多夫

主权项：电泵浦的光电半导体芯片(1)，具有：?至少两个能产生辐射的量子阱(2)，所述能产生辐射的量子阱包括InGaN或者由其组成；以及?至少两个覆层(4)，所述覆层包括AlGaN或者由其组成，其中，?所述覆层(4)中的每个与所述能产生辐射的量子阱(2)中的刚好一个相关联，?所述覆层(4)各位于所述能产生辐射的量子阱(2)的p侧上，并且?在所述能产生辐射的量子阱(2)与相关联的所述覆层(4)之间的距离为最高1.5nm。

专利地区：德国