为结晶硅太阳能电池制造发射电极的方法和相应的硅太阳能电池专利登记公告

专利名称：为结晶硅太阳能电池制造发射电极的方法和相应的硅太阳能电池

摘要：在用于为硅晶片上的硅太阳能电池制造正面发射电极作为正面触点的方法中，在硅太阳能电池的正面中产生凹陷。然后产生正面的n掺杂的硅层和抗反射层。然后借助喷墨印刷机将膏状物引入到凹陷中，该膏状物包含导电的金属粒子和腐蚀性玻璃熔料，该腐蚀性玻璃熔料通过短时加热腐蚀穿透抗反射层到n掺杂的硅层并且电接触该n掺杂的硅层。此后在凹陷中将导电的正面触点金属电镀地积聚到经火后的膏状物上作为正面触点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080036047.3

专利申请（专利权）人：吉布尔·施密德有限责任公司

专利发明（设计）人：H·哈费尔坎普;P·米特齐内克;K·基宁格;J·佐尔纳

主权项：一种用于为硅晶片上的结晶的硅太阳能电池制造正面发射电极作为正面触点的方法，其中在硅晶片的正面中产生用于正面触点的凹陷，并且在产生正面的n掺杂的硅层和施加抗反射层之后，将膏状物或者油墨引入到所述凹陷中，所述膏状物或者油墨包含导电的金属粒子和腐蚀性玻璃熔料，其中膏状物或者油墨此后在短时加热或者退火之后腐蚀穿透抗反射层至n掺杂的硅层并且电接触该n掺杂的硅层，其中然后在所述凹陷中将导电的正面触点金属电镀地积聚或者施加到经退火的膏状物或者油墨上。

专利地区：德国