具有高位错密度的中间层的发光二极管及其制造方法专利登记公告

专利名称：具有高位错密度的中间层的发光二极管及其制造方法

摘要：这里公开了一种具有高位错密度的中间层的发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；基于氮化镓的n型接触层，设置在缓冲层上；基于氮化镓的p型接触层，设置在n型接触层上；活性层，插入在n型接触层和p型接触层之间；基于氮化镓的第一下半导体层，插入在缓冲层和n型接触层之间；基于氮化镓的第一中间层，插入在第一下半导体层和n型接触层之间，其中，第一中间层的位错密度低于缓冲层的位错密度，并且高于第一下半导体层的位错密度。通过这种构造，可以通过具有相对高位错密度的第一中间层来防止在第一下半导体

专利类型：发明专利

专利号：CN201080038644.X

专利申请（专利权）人：首尔OPTO仪器股份有限公司

专利发明（设计）人：柳泓在;芮景熙

主权项：一种发光二极管，所述发光二极管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；基于氮化镓的n型接触层，设置在缓冲层上；基于氮化镓的p型接触层，设置在n型接触层上；活性层，插入在n型接触层和p型接触层之间；基于氮化镓的第一下半导体层，插入在缓冲层和n型接触层之间；基于氮化镓的第一中间层，插入在第一下半导体层和n型接触层之间，其中，第一中间层的位错密度低于缓冲层的位错密度，并且高于第一下半导体层的位错密度。

专利地区：韩国