取代苯并硫属并苯化合物、包含该化合物的薄膜以及包括该薄膜的有机半导体装置专利登记公告

专利名称：取代苯并硫属并苯化合物、包含该化合物的薄膜以及包括该薄膜的有机半导体装置

摘要：本发明提供适用于作为有机半导体材料的新型化合物，该化合物为式(1)所示的取代苯并硫属并苯化合物，提供包含该化合物的薄膜、以及具有该薄膜作为构成成分的有机半导体装置。在式(1)中，E各自独立地表示硫原子或硒原子，并且R1和R2各自独立地表示氢原子、任选取代的C4-30烷基、任选取代的C4-30烷氧基、任选取代的C6-30芳基、任选取代的C7-30芳烷基、任选取代的C4-30杂芳基、任选取代的C5-30杂芳烷基、或任选氟代的C3-30三烷基甲硅烷基，R1和R2两者不为氢原子。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080040263.5

专利申请（专利权）人：住友化学株式会社;国立大学法人名古屋大学

专利发明（设计）人：宫田康生;吉川荣二;山口茂弘

主权项：?式(1)所示的取代苯并硫属并苯化合物：其中E各自独立地表示硫原子或硒原子，R1和R2各自独立地表示氢原子、任选取代的C4?30烷基、任选取代的C4?30烷氧基、任选取代的C6?30芳基、任选取代的C7?30芳烷基、任选取代的C4?30杂芳基、任选取代的C5?30杂芳烷基、或任选氟代的C3?30三烷基甲硅烷基，其中R1和R2不同时为氢原子。2010800402635100001dest_path_image002.jpg

专利地区：日本