具有接触阻挡层的稀释的III-V族氮化物中间带太阳能电池专利登记公告

专利名称：具有接触阻挡层的稀释的III-V族氮化物中间带太阳能电池

摘要：本发明提供一种中间带太阳能电池(IBSC)，其包括基于稀释的III-V族氮化物材料的p-n结和一对位于p-n结相对表面上的接触阻挡层，其用于通过阻挡中间带中电荷输运电绝缘p-n结的中间带，但不影响p-n结的电子和空穴收集效率，因而增加IBSC的开路电压(VOC)，并利用中间带吸收能量低于IBSC的吸收层带隙的光子增加光电流。因此，IBSC的整体功率转换效率比传统单结太阳能电池高得多。IBSC的p-n结吸收层具有成分分级的氮浓度，从而为更有效的电荷收集提供电场。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080040445.2

专利申请（专利权）人：罗斯特雷特能源实验室公司

专利发明（设计）人：W·瓦鲁奇威兹;K·M·禹

主权项：一种中间带太阳能电池，其包括：p?n结，其包括p型层和n型层，每个所述p型层和n型层材料都包括中间带；以及接触阻挡层，其设置在n型层的外表面上，并提供所述p型和n型层的中间带的电绝缘。

专利地区：美国