相变化材料及相变化型存储元件专利登记公告

专利名称：相变化材料及相变化型存储元件

摘要：具有高结晶温度且非晶相的热稳定性良好的相变化材料，具有一般化学式GexMyTe100-x-y所示的组成，式中，M表示选自Al、Si、Cu、In及Sn构成的群的1种元素，x在5.0～50.0(at.％)、y在4.0～45.0(at.％)范围内进行选择，并满足40(at.％)≤x+y≤60(at.％)。该相变化材料以GexMyLzTe100-x-y-z表示，还含有选自N、O、Al、Si、P、Cu、In及Sn构成的群的至少1种元素L作为追加元素L。此处，z选择为满足40(at.％)≤x+y+z≤60(at.％)

专利类型：发明专利

专利号：CN201080040813.3

专利申请（专利权）人：国立大学法人东北大学

专利发明（设计）人：须藤祐司;小池淳一;齐藤雄太;镰田俊哉

主权项：一种相变化材料，具有一般化学式GexMyTe100?x?y所示的组成，式中，M表示选自Al、Si、Cu、In及Sn构成的群的1种元素，x的原子浓度百分比在5.0％～50.0％、y的原子浓度百分比在4.0％～45.0％范围内选择并满足40％≤x+y≤60％。

专利地区：日本