半导体装置专利登记公告

专利名称：半导体装置

摘要：在使用了具备主单元和电流检测单元的功率半导体元件的半导体装置中，高精度地探测负载过电流，并且高速地探测短路电流。将电流检测单元(2)的输出与运算放大器(6)的反转输入端子(61)连接，并且运算放大器(6)的非反转输入端子(62)与施加了源偏置电压的主单元(1)的源极连接，具备：第一错误探测电路(21)，通过包括运算放大器(6)和检测电阻(12)的电流/电压变换电路将电流检测单元(2)的输出电流变换为检测电压，比较该检测电压和第一基准电压而输出错误信号；以及第二错误探测电路(22)，比较运算放大器(6)的反

专利类型：发明专利

专利号：CN201080040989.9

专利申请（专利权）人：三菱电机株式会社

专利发明（设计）人：中武浩

主权项：一种半导体装置，通过电流检测单元的输出电流，探测具备主单元和所述电流检测单元的功率半导体元件的所述主单元的电流，其特征在于，将所述电流检测单元的输出与运算放大器的反转输入端子连接，并且所述运算放大器的非反转输入端子与施加了源偏置电压的所述主单元的源极连接，所述半导体装置具备：第一错误探测电路，通过包括所述运算放大器和检测电阻的电流/电压变换电路将所述电流检测单元的输出电流变换为检测电压，比较该检测电压和第一基准电压而输出错误信号；以及第二错误探测电路，比较所述运算放大器的反转输入端子的电压和被设定为高于所

专利地区：日本