芳香族烃树脂和光刻用下层膜形成组合物专利登记公告

专利名称：芳香族烃树脂和光刻用下层膜形成组合物

摘要：本发明提供可以作为半导体用的涂布剂或抗蚀剂用树脂使用的碳浓度高、氧浓度低的芳香族烃树脂；另外提供用于形成作为多层抗蚀剂工艺用下层膜的、耐蚀刻性优异的光刻用下层膜的组合物、以及由这些组合物形成的下层膜和使用了该下层膜的图案形成方法。使芳香族烃和芳香族醛在酸性催化剂的存在下反应，得到碳浓度高至90～99.9质量％且氧浓度低至0～5质量％的芳香族烃树脂。另外，本发明涉及包含该树脂和有机溶剂的光刻用下层膜形成组合物、由该组合物形成的下层膜和使用了该下层膜的图案形成方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080041176.1

专利申请（专利权）人：三菱瓦斯化学株式会社

专利发明（设计）人：井出野隆次;北诚二;荻原雅司;东原豪

主权项：一种芳香族烃树脂，其通过使式[1]所示的芳香族烃和式[2]所示的醛在酸性催化剂的存在下反应而得到，式[1]中，R表示氢或碳原子数1～4的烷基，l和m分别表示1～3的数，A表示0～2的数，l和m各自为2以上时，存在的多个R可以相同也可以不同；式[2]中，X表示氢、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～10的芳基、环己基、羟基、甲酰基或羰基，p和q分别表示1～3的数，B表示0～2的数，p和q各自为2以上时，存在的多个X可以相同也可以不同。FDA0000143801740000011.tif,FDA0000143

专利地区：日本