高分子量烷基-烯丙基三羰基钴配合物及其用于制备介电薄膜的用途专利登记公告

专利名称：高分子量烷基-烯丙基三羰基钴配合物及其用于制备介电薄膜的用途

摘要：本发明提供通过气相沉积工艺形成含钴薄膜的方法。该方法包括使用对应于式I结构的至少一种前体；其中R1和R2独立地为C2-C8烷基；x为0、1或2；并且y为0或1；其中x和y两者不能同时为0。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080041747.1

专利申请（专利权）人：西格玛-奥吉奇有限责任公司

专利发明（设计）人：R·奥德拉;N·博格;J·安西斯;R·坎乔里亚

主权项：通过气相沉积工艺形成含钴薄膜的方法，该方法包括使用对应于式I结构的至少一种前体：(式I)其中R1和R2独立地为C2?C8烷基；x为0、1或2；并且y为0或1；其中x和y两者不能同时为0。FPA00001525162100011.tif

专利地区：美国