像素化LED专利登记公告

专利名称：像素化LED

摘要：本发明描述了一种像素化发光二极管(LED)以及将LED像素化的方法。所述像素化LED包括两个或更多个单片集成的电致发光元件，其彼此相邻地设置在基底上，其中每一电致发光元件紧邻所述基底的至少一部分包括倒置截棱锥形状。将LED像素化的所述方法包括从LED的主表面选择性地移除材料至低于发射区的深度，从而形成倒置截棱锥形状的阵列。可通过采用截棱锥形来提高像素化LED的效率。另外，可通过采用截棱锥形状来减少相邻LED像素之间的串扰。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080042179.7

专利申请（专利权）人：3M创新有限公司

专利发明（设计）人：凯瑟琳·A·莱瑟达勒;杨朝晖

主权项：一种像素化发光二极管(LED)，包括：两个或更多个单片集成的电致发光元件，彼此相邻地设置在基底上，每一电致发光元件包括：p掺杂半导体，与所述基底相邻设置；n掺杂半导体，与所述p掺杂半导体相邻设置，并位于与所述基底相反的一侧；发射区，位于所述n掺杂半导体和所述p掺杂半导体之间，其中每一电致发光元件的紧邻所述基底的至少一部分具有倒置截棱锥形状。

专利地区：美国