纳米粒子材料的制造方法、纳米粒子材料以及光电转换器件专利登记公告

专利名称：纳米粒子材料的制造方法、纳米粒子材料以及光电转换器件

摘要：一种纳米粒子材料的制造方法，其中，将空穴输送性表面活性剂注入至InP/ZnS分散溶液中，将InP/ZnS量子点表面用空穴输送性表面活性剂覆盖，制作带有空穴输送性表面活性剂的InP/ZnS分散溶液。接着，使用旋涂法等，将带有空穴输送性表面活性剂的InP/ZnS分散溶液涂布于基板7上，形成带有1层或2层以上的空穴输送性表面活性剂的量子点层8(a)。接着，准备含有电子输送性表面活性剂6的分散溶液(置换溶液)。将在表面形成带有空穴输送性表面活性剂的量子点层8的基板7以规定时间浸渍于置换溶液中，使空穴输送性表面活性

专利类型：发明专利

专利号：CN201080042600.4

专利申请（专利权）人：株式会社村田制作所

专利发明（设计）人：村山浩二

主权项：一种纳米粒子材料的制造方法，其特征在于，包括以下工序：超微粒子膜形成工序，形成用具有空穴输送性和电子输送性中的任一种输送性的表面活性剂覆盖的超微粒子膜；及浸渍工序，将在该超微粒子膜形成工序中形成的超微粒子膜浸渍于含有具有与所述一种输送性不同的另一种输送性的表面活性剂的分散溶液中，形成用所述空穴输送性和所述电子输送性这两种表面活性剂覆盖的超微粒子膜。

专利地区：日本