使半导体基底的氧化表面活化的溶液和方法专利登记公告

专利名称：使半导体基底的氧化表面活化的溶液和方法

摘要：本发明涉及一种使基底的氧化表面活化的溶液和方法，尤其是半导体基底，从而随后利用通过无电方法沉积的金属层覆盖所述表面。根据本发明的组合物含有：A)由一种或多种钯配合物形成的活化剂；B)由一种或多种有机硅烷化合物形成的双官能的有机粘结剂；C)由适于溶解所述活化剂和所述粘结剂的一种或多种溶剂形成的溶剂体系。应用：制作电子器件，例如特别是集成电路，尤其是三维集成电路。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080043038.7

专利申请（专利权）人：埃其玛公司

专利发明（设计）人：文森特·梅费里克;多米尼克·祖尔

主权项：一种使基底的氧化表面活化的溶液，尤其是含有硅的基底，从而随后利用通过无电方法沉积的金属层覆盖所述表面，其特征在于，所述溶液含有：A)由一种或多种钯配合物形成的活化剂，所述钯配合物选自：●式(I)的钯配合物其中：?R1和R2相同并且是?H、?CH2CH2NH2、?CH2CH2OH；或R1是?H且R2是?CH2CH2NH2；或R?1是?CH2CH2NH2且R2是?CH2CH2NHCH2CH2NH2；或R?1是?H且R2是?CH2CH2NHCH2CH2NHCH2CH2NH2；?X是选自Cl?、Br?、I?、H2

专利地区：法国