以纳米线为基础的被动式像素图像传感器专利登记公告

专利名称：以纳米线为基础的被动式像素图像传感器

摘要：一种成像装置，其包含适用于大小小于500纳米的小型物体成像的复数个光敏元件。每个光敏元件形成一被动式像素，该被动式像素包括至少一纳米线结构光电探测器及一开关晶体管。该纳米线结构光电探测器是经组态以接收光子及储存光子所产生的电荷并表现为一波导。该开关晶体管是形成在基板中或纳米线的相同主体上，且是经组态以使得该纳米线中由光子所产生的电荷可在其关闭时积累且在其开启时从该纳米线中排尽。像素阵列是经组态通过配置为便士的圆形图案而允许高解析度成像。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080043180.1

专利申请（专利权）人：立那工业股份有限公司

专利发明（设计）人：穆尼布·沃贝尔;俞荣俊

主权项：一种装置，其包括：一像素阵列，该等像素包括一纳米线光电二极管，该纳米线光电二极管包括一纳米线及一基板，其中该等像素是被动式像素。

专利地区：美国