等离子体处理系统中的电流控制专利登记公告

专利名称：等离子体处理系统中的电流控制

摘要：用于产生等离子体以处理至少晶片的等离子体处理系统。所述等离子体处理系统包括线圈，用以传导用于保持等离子体的至少一部分的电流。所述等离子体处理系统还包括与所述线圈耦合的传感器，用以测量所供应的电流的强度以提供强度测量结果，而无需测量所供应的电流的任何相位角。所述所供应的电流是所述电流或用于提供多个电流(例如，包括所述电流)的总电流。所述等离子体处理系统还包括与所述传感器耦合的控制器，用以利用所述强度测量结果和/或用所述强度测量结果得出的信息而无需利用与相位角测量有关的信息来产生命令，并且用以提供所述命令以控

专利类型：发明专利

专利号：CN201080043983.7

专利申请（专利权）人：朗姆研究公司

专利发明（设计）人：龙茂林;赛义德·贾法·雅法良-特哈妮;亚瑟·萨托;尼尔·马丁·保罗·本杰明;诺曼·威廉姆斯

主权项：用于产生等离子体以处理至少晶片的等离子体处理系统，所述等离子体处理系统包括：第一线圈，用以传导用于保持所述等离子体的至少第一部分的第一电流；与所述第一线圈耦合的第一电流强度传感器，用以测量所供应的电流的强度以提供第一强度测量结果，而无需测量所述所供应的电流的任何相位角，所述所供应的电流是所述第一电流或用于提供多个电流的总电流，如果所述所供应的电流是所述总电流，则所述多个电流包括所述第一电流；以及与所述第一电流强度传感器耦合的第一控制器，用以利用所述第一强度测量结果和用所述第一强度测量结果得出的信息中的至少

专利地区：美国