用于制造发光二极管的方法专利登记公告

专利名称：用于制造发光二极管的方法

摘要：提出了一种制造发光二极管的方法，其具有下述步骤：-提供具有硅表面(1a)的支承衬底(1)；-沿生长方向(R)在硅表面(1a)上沉积层序列(100)，并且-将发光二极管结构(16)沉积到层序列(100)上，其中-层序列(100)包含以氮化镓形成的GaN层(5)，-层序列包含以氮化硅形成的掩膜层(12)，并且-掩膜层(12)沿生长方向(R)跟随GaN层(5)的至少一部分。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080044047.8

专利申请（专利权）人：欧司朗光电半导体有限公司

专利发明（设计）人：彼得·施陶斯;菲利普·德雷克塞尔

主权项：用于制造发光二极管的方法，具有下述步骤：?提供具有硅表面(1a)的支承衬底(1)；?沿生长方向(R)在所述硅表面(1a)上沉积层序列(100)，并且?将发光二极管结构(16)沉积到所述层序列(100)上，其中?所述层序列(100)包含以氮化镓形成的GaN层(5)，?所述层序列包含以氮化硅形成的掩膜层(12)，并且?所述掩膜层(12)沿生长方向(R)跟随在所述GaN层(5)的至少一部分之后。

专利地区：德国