氧化还原电容器以及其制造方法专利登记公告

专利名称：氧化还原电容器以及其制造方法

摘要：提供可在室温被制造的氧化还原电容器以及其制造方法。含有氢的非晶半导体被用作氧化还原电容器的电解质。可使用含有诸如非晶硅、非晶硅锗、或非晶锗之类的半导体元素的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的典型示例。可使用含有氢的非晶半导体作为含有氢的非晶半导体的另一个示例。可给出含有诸如氧化锌、氧化钛、氧化镍、氧化钒、以及氧化铟之类的单组分氧化物半导体的非晶半导体作为含有氢的氧化物半导体的典型示例。可使用诸如In-M-Zn-氧化物半导体(M是选自Al、Ga、Fe、Ni、Mn、以及Co的一个或多个金属元素)之类的多组分氧

专利类型：发明专利

专利号：CN201080044992.8

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：栗城和贵;荻野清文;斋藤祐美子;坂田淳一郎

主权项：包括使用含有氢的非晶半导体形成的电解质的氧化还原电容器。

专利地区：日本