用于制造具有埋腔的MEMS器件的方法以及由此获得的MEMS器件专利登记公告

专利名称：用于制造具有埋腔的MEMS器件的方法以及由此获得的MEMS器件

摘要：用于制造MEMS器件的方法，其中在衬底上和绝缘层(3)上形成底部硅区域(4b)；在底部区域上形成电介质的牺牲区域(5a)；在牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；薄膜区域被挖掘至牺牲区域，以便形成穿通沟槽(15)；穿通沟槽的侧壁和底部以保形方式完全利用多孔材料层(16)覆盖；通过多孔材料层选择性地移除牺牲区域的至少一部分并形成空腔(18)；以及穿通沟槽利用填充材料(20a)填充，以便形成悬置于空腔(18)之上的单片薄膜。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045056.9

专利申请（专利权）人：意法半导体股份有限公司

专利发明（设计）人：P·科罗纳;S·洛萨;I·格尔米;R·卡姆佩德利

主权项：一种用于制造MEMS器件的方法，包括以下步骤：形成第一材料的底部区域(4b)；在所述底部区域上形成与所述第一材料不同的、第二材料的牺牲区域(5a)；在所述牺牲区域上外延生长半导体材料的薄膜区域(21)；蚀刻所述薄膜区域，直至所述牺牲区域，以便形成沟槽(15)，每个沟槽(15)具有由所述薄膜区域定界的侧壁和由所述牺牲区域定界的底部；利用多孔材料层(16)完全和保形地覆盖所述沟槽的所述侧壁和所述底部；通过所述多孔材料层选择性地移除所述牺牲区域的至少一部分，以形成空腔(18)；以及利用填充材料(20a)填充所述

专利地区：意大利