半导体继电器专利登记公告

专利名称：半导体继电器

摘要：一种半导体继电器，具有：2个MOSFET；发光元件；受光驱动元件，根据所述发光元件的发光的有无，分别对所述2个MOSFET进行导通截止驱动；2个输出导电板，分别与所述2个MOSFET电连接；2个输入导电板，分别与所述发光元件电连接；以及密封树脂，将2个MOSFET、发光元件、受光驱动元件、2个输出导电板及2个输入导电板分别密封。所述2个输出导电板和所述2个输入导电板分别具有向所述密封树脂的外侧突出而被表面安装到彼此共用的印刷布线板上的端子部，所述2个输出导电板分别具有安装部，在安装部上分别安装所述2个MO

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045218.9

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：星野就俊;藤原嘉宏;芝野贵史;高真祐

主权项：一种半导体继电器，具有：2个MOSFET，以寄生二极管的朝向彼此相反的方式相互串联连接；发光元件，具有一对端子，在该端子之间输入规定的电力而进行发光；受光驱动元件，根据所述发光元件的发光的有无，分别对所述2个MOSFET进行导通截止驱动；2个输出导电板，分别由导电材料形成，分别与所述2个MOSFET的串联电路的各一端电连接；2个输入导电板，分别由导电材料形成，分别与所述发光元件的各1个端子电连接；以及密封树脂，分别将所述2个MOSFET、所述发光元件、所述受光驱动元件、所述2个输出导电板及所述2个输入导电

专利地区：日本