石英坩埚及其制造方法专利登记公告

专利名称：石英坩埚及其制造方法

摘要：提供了一种石英坩埚及制造该石英坩埚的方法。所述石英坩埚用在单晶生长装置中。所述石英坩埚包括含有二氧化硅的内层，以及含有二氧化硅且设置在内层外侧以包围所述内层的外层，其中在所述外层的二氧化硅中添加有氮。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045290.1

专利申请（专利权）人：LG矽得荣株式会社

专利发明（设计）人：崔日洙;金奉佑;文智勋;金度延

主权项：一种单晶生长装置用石英坩埚，所述石英坩埚包括：含有二氧化硅的内层；以及含有二氧化硅且设置在所述内层外侧以包围所述内层的外层，其中在所述外层的所述二氧化硅中添加有氮。

专利地区：韩国

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