具有改进的漏电感控制的耦合电感器专利登记公告

专利名称：具有改进的漏电感控制的耦合电感器

摘要：一种M绕组耦合电感器(800)包括第一端部磁元件(802)、第二端部磁元件(804)、M个连接磁元件(902)以及M个绕组。M是大于1的整数。每个连接磁元件(902)均设在第一端部磁元件(802)和第二端部磁元件(804)之间并且连接第一和第二端部磁元件。每个绕组(904)至少部分地绕M个连接磁元件(902)中的相应的一个连接磁元件缠绕。耦合电感器还包括至少一个顶部磁元件(806)，其与M个连接磁元件中的至少两个相邻，并且至少部分在M个连接磁元件中的至少两个上延伸，以提供第一和第二端部磁元件之间的磁通量通

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045400.4

专利申请（专利权）人：沃特拉半导体公司

专利发明（设计）人：亚历山德·伊克拉纳科夫

主权项：一种M绕组耦合电感器，M为大于1的整数，所述耦合电感器包括：第一端部磁元件；第二端部磁元件；M个连接磁元件，每个连接磁元件设在所述第一和第二端部磁元件之间并且连接所述第一和第二端部磁元件；M个绕组，每个绕组至少部分地绕所述M个连接磁元件中的相应的一个连接磁元件缠绕；以及至少一个顶部磁元件，与所述M个连接磁元件中的至少两个连接磁元件相邻并且至少部分在所述至少连接磁元件两个上延伸，以提供用于所述第一和第二端部磁元件之间的磁通量的通路。

专利地区：美国