硅粉末的制造方法、多晶型太阳能电池板以及其制造方法专利登记公告

专利名称：硅粉末的制造方法、多晶型太阳能电池板以及其制造方法

摘要：本发明提供一种硅粉末的制造方法，包括：将纯度等级为99.999％以上的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的硅粉末的工序。由此，提供一种从硅锭迅速地得到硅粉末且不使其纯度下降的技术。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045578.9

专利申请（专利权）人：松下电器产业株式会社

专利发明（设计）人：中山一郎;山西齐;大井户良久;上木原伸幸;奥村智洋

主权项：硅粉末的制造方法，包括：将纯度等级为99.999％以上的硅锭通过高压纯水切割制成粒径3mm以下的粗硅粉末的工序；利用选自喷射式粉碎、湿式粒化、超声波破坏、冲击波破坏中的至少一种方法，将所述粗硅粉末制成粒径0.01μm以上且10μm以下的硅粉末的工序。

专利地区：日本