Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及其制造方法以及光记录介质专利登记公告

专利名称：Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及其制造方法以及光记录介质

摘要：一种Bi-Ge-O型烧结体溅射靶，含有铋(Bi)、锗(Ge)和氧(O)，其特征在于，Bi与Ge的原子数比为0.57＜(Bi/(Bi+Ge))＜0.92，并且含有Bi12GeO20、Bi4Ge3O12和GeO2三相作为结晶相。本发明涉及Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及其制造方法以及光记录介质，特别地提供在溅射时不产生靶的破裂，粉粒的产生少，可以稳定地制作高品质的薄膜，可以得到不产生记录位的错误的光记录介质的Bi-Ge-O型烧结体溅射靶及该靶的制造方法以及光记录介质。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080045590.X

专利申请（专利权）人：吉坤日矿日石金属株式会社

专利发明（设计）人：奈良淳史

主权项：一种Bi?Ge?O型烧结体溅射靶，含有铋(Bi)、锗(Ge)和氧(O)，其特征在于，Bi与Ge的原子数比为0.57＜(Bi/(Bi+Ge))＜0.92，并且含有Bi12GeO20、Bi4Ge3O12和GeO2三相作为结晶相。

专利地区：日本