硅光子检测器专利登记公告

专利名称：硅光子检测器

摘要：提供一种硅光子检测器装置及方法，用以于该硅光子检测器配置成检测模式时，检测在局部空乏浮体绝缘体上半导体场效晶体管(310)中的入射光子，其中，该局部空乏浮体绝缘体上半导体场效晶体管在浮体区(304)中捕捉由可见光和中红外光所产生的电荷，并在读取模式中利用电流检测器测量或读取所导致的增强漏极电流。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080046055.6

专利申请（专利权）人：格罗方德半导体公司

专利发明（设计）人：R·M·波托克;R·R·格鲁甘图;M·R·布鲁斯

主权项：一种浮体光子检测器，包括：绝缘体上半导体层，形成在衬底上；漏极区，配置在该绝缘体上半导体层内；浮体区，配置在该绝缘体上半导体层内与该漏极区串联；源极区，配置在该绝缘体上半导体层内与该浮体区串联；以及栅极电极，配置以至少大幅覆盖该绝缘体上半导体层的该浮体区并通过栅极介电层与该浮体区绝缘，因而形成浮体光电晶体管，当第一光源未照射该浮体区时，该浮体光电晶体管具有第一相对高阈值电压，而当该第一光源照射该浮体区时，该浮体光电晶体管具有第二相对低阈值电压。

专利地区：开曼群岛