多晶硅制造用芯线支架及多晶硅的制造方法专利登记公告

专利名称：多晶硅制造用芯线支架及多晶硅的制造方法

摘要：本发明提供一种多晶硅的制造方法，其能够在短时间内使硅芯线与芯线支架获得充分的接合强度，其结果是能够缩短反应初期的生长速度抑制期间。本发明的芯线支架(20)中，一端侧为具有圆锥台状的斜面的形状，在该端部设有开口部(22)，且形成有用于插入并保持硅芯线(5)的空洞(21)。在硅芯线(5)的表面通过西门子法使多晶硅(6)进行气相生长，进行多晶硅棒的制造。在开口部(22)附近的圆锥台状斜面上从开口部附近的外周面朝向空洞(21)形成有环状狭缝(23a～c)作为绝热层。该环状狭缝作为绝热部(绝热层)发挥作用，抑制来自

专利类型：发明专利

专利号：CN201080046255.1

专利申请（专利权）人：信越化学工业株式会社

专利发明（设计）人：祢津茂义;黑谷伸一;小黑晓二;久米史高

主权项：一种芯线支架，在利用西门子法进行的多晶硅的制造中使用，其特征在于，在设有供硅芯线插入的空洞的开口部的一端和作为与金属电极接触的接触部的另一端之间设有绝热部，所述金属电极用于使电流流向所述硅芯线。

专利地区：日本