氢气回收系统以及氢气的分离回收方法专利登记公告

专利名称：氢气回收系统以及氢气的分离回收方法

摘要：本发明尽量降低为了进行多晶硅制造装置的反应废气的分离而使用的补给氢气的量。将利用氯化氢吸收装置(30)除去了氯硅烷类以及氯化氢的反应废气导入吸附装置(50)中，进行精制后的氢气的回收(S105)。吸附装置(50)中填充有活性炭，在氢气为主体的气体通过该活性炭填充层期间，气体中包含的未分离的氯硅烷类、氯化氢、以及氮气、一氧化碳、甲烷、单硅烷被活性炭吸附而从气体中除去，得到精制后的氢气。氮气、一氧化碳、甲烷、单硅烷的吸附状态为压缩气体，而氯化氢以及氯硅烷类的吸附状态为液体，在解吸时需要提供气化热。利用该特性，

专利类型：发明专利

专利号：CN201080046635.5

专利申请（专利权）人：信越化学工业株式会社

专利发明（设计）人：黑泽靖志

主权项：一种氢气回收系统，用于从来自以三氯硅烷作为原料制造多晶硅的装置的反应废气中分离回收氢气，其特征在于，具备：冷凝分离装置，从来自多晶硅制造工序的含有氢气的反应废气中将氯硅烷类冷凝分离；压缩装置，将经过所述冷凝分离装置后的含有氢气的反应废气进行压缩；吸收装置，使经过所述压缩装置后的含有氢气的反应废气与吸收液接触，吸收分离氯化氢；和吸附装置，由用于吸附除去经过所述吸收装置后的含有氢气的反应废气中包含的甲烷、氯化氢以及氯硅烷类的多个活性炭填充塔构成，所述活性炭填充塔各自具有：用于向系统外排出的第一线路，作为在该活

专利地区：日本