制备有机卤硅烷的方法专利登记公告

专利名称：制备有机卤硅烷的方法

摘要：本发明涉及制备有机卤硅烷的方法。该方法包括在包含铜的直接法催化剂和助催化剂的存在下，在250-350℃的温度下在反应器中使包含0.08-0.25％(w/w)的铝的第一细碎硅与有机卤化物接触；及根据需要以足以维持基于未反应的硅和铝的重量的0.08-0.2％(w/w)的铝浓度的量将包含0.001至＜0.10％(w/w)的铝的第二细碎硅引入反应器中。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080046676.4

专利申请（专利权）人：道康宁公司

专利发明（设计）人：约瑟夫·彼得·科哈尼;温尼克里什南·R·皮莱;J·D·瓦恩兰

主权项：一种制备有机卤硅烷的方法，所述方法包括：(i)在包含铜的直接法催化剂和助催化剂的存在下，在250?350℃的温度下在反应器中使包含0.08?0.25％(w/w)的铝的第一细碎硅与有机卤化物接触；及(ii)根据需要以足以维持基于未反应的硅和铝的总重量的0.08?0.2％(w/w)的铝浓度的量将包含0.001至＜0.10％(w/w)的铝的第二细碎硅引入所述反应器中。

专利地区：美国