跟踪位单元特性的SRAM延迟电路专利登记公告

专利名称：跟踪位单元特性的SRAM延迟电路

摘要：一种跟踪位单元特性的SRAM延迟电路（14）。公开了一种电路，包括用于接收输入信号（13）的输入节点；用于捕捉来自多个参考单元（12）的参考电流的参考节点（20）；具有由所述参考电流控制的放电的电容网络（15）；及输出具有延迟（16）的所述输入信号的输出电路，其中所述延迟由所述电容网络（15）的所述放电控制。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047089.7

专利申请（专利权）人：国际商业机器公司

专利发明（设计）人：I·阿瑟沃斯基;G·M·布拉瑟拉斯;R·M·郝尔;H·皮洛

主权项：一种具有用于跟踪SRAM位单元特性的延迟电路的SRAM设备，其中，所述延迟电路包括：用于接收输入信号的输入节点；用于捕捉来自多个参考单元的参考电流的参考节点；具有由所述参考电流控制的放电率的电容网络；及输出延迟信号的输出电路，其中，该延迟信号由所述电容网络的所述放电率控制。

专利地区：美国