太阳能电池单元专利登记公告

专利名称：太阳能电池单元

摘要：本发明提供一种降低内部应力的产生并由此降低结晶缺陷及再结合损失的太阳能电池单元。所述太阳能电池单元在形成有pn结的半导体基板的受光面侧具有防反射膜和外部提取用电极，在非受光面侧具有电极层，其特征在于，所述电极层形成为整面状，厚度为5μm以下。优选所述电极层的片电阻为1×10-4Ω/□以下。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047497.2

专利申请（专利权）人：日立化成工业株式会社

专利发明（设计）人：冈庭香

主权项：一种太阳能电池单元，其为在形成有pn结的半导体基板的受光面侧具有防反射膜和外部提取用电极、在非受光面侧具有电极层的太阳能电池单元，其特征在于，所述电极层被形成为整面状，厚度为5μm以下。

专利地区：日本