太阳能电池单元的制造方法专利登记公告

专利名称：太阳能电池单元的制造方法

摘要：本发明目的在于降低太阳能电池单元的制造工序中的内部应力的产生，并由此降低结晶缺陷、再结合损失。一种太阳能电池单元的制造方法，其为具有pn结的太阳能电池单元的制造方法，包括：在半导体基板上涂布包含成为受主的杂质的扩散用涂布液，通过热扩散处理扩散所述杂质形成p型层的工序；和/或在半导体基板上涂布包含成为施主的杂质的扩散用涂布液，通过热扩散处理扩散所述杂质形成n型层的工序。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047528.4

专利申请（专利权）人：日立化成工业株式会社

专利发明（设计）人：冈庭香

主权项：一种太阳能电池单元的制造方法，其为具有pn结的太阳能电池单元的制造方法，包括：在半导体基板上涂布包含成为受主的杂质的扩散用涂布液，通过热扩散处理扩散所述杂质形成p型层的工序；和/或在半导体基板上涂布包含成为施主的杂质的扩散用涂布液，通过热扩散处理扩散所述杂质形成n型层的工序。

专利地区：日本