具有动态偏置的RF缓冲器电路专利登记公告

专利名称：具有动态偏置的RF缓冲器电路

摘要：用于压控振荡器(VCO)的RF缓冲器电路包括动态偏置电路以选择性对输出电压波形的相位进行翻转。在CMOS的实施方式中，在输出路径上应用PMOS/NMOS对。在高(电压)摆幅模式状况期间，对输出的相位进行翻转使得输出波形与出现在PMOS/NMOS对的栅极处的电压同相。由此该技术减小了栅极到漏极的峰值电压，并且允许采用经得起低相位噪声和低功耗的配置的MOS器件的可靠性提高。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047529.9

专利申请（专利权）人：高通股份有限公司

专利发明（设计）人：R·兰加拉詹;C·米什拉

主权项：一种RF缓冲器电路，包括：第一晶体管和第二晶体管；以及动态偏置电路，使得基于所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个或另一个的输入电压摆幅状况，所述第一晶体管和所述第二晶体管上的缓冲后的输出电压基本上与所述第一晶体管或所述第二晶体管的输入端子处的振荡电压同相，或者基本上与所述振荡电压异相。

专利地区：美国