低通滤波器的设计专利登记公告

专利名称：低通滤波器的设计

摘要：本发明揭示用于具有高质量因子Q的低通滤波的技术。在示范性实施例中，将输入电流耦合到第一晶体管的漏极。通过电阻器R1将所述第一晶体管的所述漏极与栅极耦合在一起，且通过第一电容器C1将所述漏极耦合到参考电压。通过第二电容器C2将所述栅极耦合到参考电压。将所述栅极进一步耦合到第二晶体管的栅极，且将输出电流耦合到所述第二晶体管的漏极。在另一示范性实施例中，可耦合其它无源元件以产生奇数阶低通传递特性。可串联级联多个滤波器以合成具有任意阶的滤波器。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047530.1

专利申请（专利权）人：高通股份有限公司

专利发明（设计）人：阿雷佐乌·哈提比;阿拉·比卡思;雷纳·格特克

主权项：一种设备，其包含：第一晶体管，其包含漏极、栅极及源极，所述源极耦合到参考电压；第一电阻器，其耦合所述第一晶体管的所述漏极与所述栅极；第一电容器，其将所述第一晶体管的所述漏极耦合到参考电压；第二电容器，其将所述第一晶体管的所述栅极耦合到参考电压；及第二晶体管，其包含漏极、栅极及源极，所述源极耦合到参考电压，所述栅极耦合到所述第一晶体管的所述栅极。

专利地区：美国