拉伸膜的应力管理专利登记公告

专利名称：拉伸膜的应力管理

摘要：本发明描述了具有低破裂倾向的间隙填充氧化硅层的形成。沉积涉及可流动含硅层的形成，该可流动含硅层促进沟槽的填充。在高基板温度下的后续处理造成比根据现有技术方法所形成的可流动膜少的介电膜中的破裂。描述了在形成间隙填充氧化硅层之前所沉积的可压缩衬垫层，且可压缩衬垫层降低后续沉积的膜会破裂的倾向。在可流动含硅层后沉积的可压缩覆盖层也已经被确定可减少破裂。可单独地或组合地利用可压缩衬垫层与可压缩覆盖层来减少且经常消除破裂。此外，在所公开的实施例中，已经确定可压缩覆盖层可使得氮化硅的下伏层被转变成氧化硅层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201080047651.6

专利申请（专利权）人：应用材料公司

专利发明（设计）人：梁静美;安亚娜·M·帕特尔;妮琴·K·英吉;尚卡·文卡塔拉曼

主权项：一种形成氧化硅层于基板上的方法，所述基板含有沟槽，所述方法包括以下步骤：传送所述基板到基板处理腔室内；形成可压缩衬垫层于所述基板上且在所述沟槽中；形成介电层于所述基板上且在所述沟槽中，其中所述介电层是起初可流动的；以及固化所述介电层。

专利地区：美国